时间：2025/11/13 10:11:33
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CL31B334JBFNNNE 是由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于Class 2类电介质电容器，采用X7R温度特性，适用于需要稳定电容值和良好温度特性的去耦、滤波和旁路应用。该电容器封装尺寸为0603（公制1608），额定电容为0.33μF（330nF），公差为±5%（代号J），额定电压为50V DC。CL31B系列具有小型化、高可靠性以及良好的焊接适应性，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及便携式电子设备中。该型号符合RoHS环保要求，并具备良好的抗湿性和耐热循环性能，适合回流焊工艺。其命名规则遵循三星MLCC标准编码体系，其中‘CL’代表多层陶瓷电容，‘31’表示尺寸代码（对应0603），‘B’代表X7R介质，‘334’表示容量为33×10^4 pF = 0.33μF，‘J’为精度等级，‘B’为电压等级（50V），后续代码表示端接电极材料与包装形式等信息。
品牌：Samsung Electro-Mechanics
产品类型：陶瓷电容器
电容值：0.33 μF
容差：±5%
额定电压：50 V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/尺寸：0603（1608 公制）
介质类别：Class 2
电极材料：镍阻挡层电极（Ni-barrier）
端接类型：三层端子结构（Cu/Ni/Sn）
安装方式：表面贴装（SMD）
产品系列：CL31B
包装形式：卷带包装（Tape and Reel）
无铅/铅自由：是（符合RoHS）
CL31B334JBFNNNE 具备优异的温度稳定性，基于X7R类电介质材料，在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容值的变化控制在±15%以内，使其适用于对电容稳定性有一定要求的应用场景。相比Y5V等其他高介电常数材料，X7R在温度变化下的性能更为可靠，避免了极端温度下电容大幅下降的问题。此外，该电容器采用先进的叠层制造工艺，实现了在0603小型封装内提供0.33μF的相对较大电容值，满足现代电子设备向轻薄化、高密度组装发展的需求。
该器件使用镍阻挡层电极技术（Ni-barrier），有效防止外部锡膏中的锡扩散到内部电极，从而提升长期可靠性并减少因银迁移或电极腐蚀导致的失效风险。三层端子结构（Cu/Ni/Sn）增强了可焊性与机械强度，确保在自动化贴片和回流焊过程中具有良好的焊接表现。此外，该结构还能有效抵抗热应力和机械应力，降低因板弯或温度循环引起的开裂风险。
CL31B334JBFNNNE 具有低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL），适合作为电源去耦电容，能有效滤除高频噪声，稳定供电电压。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其适用于信号耦合和滤波电路。由于采用无铅端接设计，符合RoHS和REACH环保规范，适用于出口型电子产品及绿色制造流程。整体上，该电容器在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中高压、中容量应用场景中的理想选择。
该电容器广泛应用于各类需要稳定电容性能和较高额定电压的电子系统中。常见用途包括电源管理电路中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并抑制纹波；在DC-DC转换器、LDO稳压器周围作为去耦电容，提供瞬态电流支持并降低高频干扰。此外，它也适用于模拟信号链路中的耦合与旁路应用，如音频放大器、传感器接口电路等，能够有效隔离直流分量并传递交流信号。
在通信设备中，CL31B334JBFNNNE 可用于射频模块的偏置电路滤波或本地电源去耦，提升系统信噪比与稳定性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备中，该器件因其小尺寸和高可靠性，常被用于主板上的多点去耦网络。工业控制设备、医疗电子装置以及汽车电子中的非动力域系统（如信息娱乐系统）也普遍采用此类电容，以满足严苛环境下的长期运行需求。
由于其50V额定电压高于常规5V或3.3V系统的工作电压，具备足够的电压裕度，提升了系统的安全性和寿命。同时，X7R材质保证了在不同工作温度下电容性能的一致性，避免因环境温度变化导致电路参数漂移。因此，该器件特别适合部署在空间受限但对稳定性要求较高的嵌入式系统、物联网节点以及便携式电源模块中。
GRM188R71H334KA01D, C1608X7R1H334K080AE, CL21B334KBANNNC, MCZ1608X7R1H334K
