AON6435是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种功率转换应用。其工作电压范围宽,能够承受较高的漏源极电压,同时具备快速开关速度,非常适合用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这款MOSFET的主要特点是其超低的导通电阻,从而减少传导损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏电流:29A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:75nC(典型值)
输入电容:3000pF(典型值)
总功耗:138W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
AON6435具有非常低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗,提升电路效率。此外,该器件支持高达100V的漏源极电压,适合多种高压应用场景。它还具有较低的栅极电荷和输入电容,有助于实现更快的开关速度,减少开关损耗。
AON6435采用TOLL封装,这种封装方式不仅提供了更好的散热性能,还增强了焊接可靠性。其出色的热特性和电气特性使其成为高效功率转换应用的理想选择。
此外,AON6435的工作结温范围很广(-55℃到+175℃),这使得它在极端温度条件下也能保持稳定的性能。
AON6435主要应用于需要高效功率转换的领域,包括但不限于:
1. 同步整流:在开关电源中作为同步整流器使用,以降低整流损耗。
2. DC-DC转换器:在降压或升压转换器中用作主开关或同步整流开关。
3. 负载开关:在电池供电设备中控制负载的接通与断开。
4. 电机驱动:用于驱动小型直流电机或其他负载。
5. 工业自动化:如工业控制、逆变器和UPS系统等。
由于其低导通电阻和高效率,AON6435特别适合于需要高性能和低功耗的设计。
AON6434, AON6436