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AON6435 发布时间 时间:2025/4/28 11:33:01 查看 阅读:3

AON6435是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种功率转换应用。其工作电压范围宽,能够承受较高的漏源极电压,同时具备快速开关速度,非常适合用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
  这款MOSFET的主要特点是其超低的导通电阻,从而减少传导损耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏电流:29A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:75nC(典型值)
  输入电容:3000pF(典型值)
  总功耗:138W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

AON6435具有非常低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗,提升电路效率。此外,该器件支持高达100V的漏源极电压,适合多种高压应用场景。它还具有较低的栅极电荷和输入电容,有助于实现更快的开关速度,减少开关损耗。
  AON6435采用TOLL封装,这种封装方式不仅提供了更好的散热性能,还增强了焊接可靠性。其出色的热特性和电气特性使其成为高效功率转换应用的理想选择。
  此外,AON6435的工作结温范围很广(-55℃到+175℃),这使得它在极端温度条件下也能保持稳定的性能。

应用

AON6435主要应用于需要高效功率转换的领域,包括但不限于:
  1. 同步整流:在开关电源中作为同步整流器使用,以降低整流损耗。
  2. DC-DC转换器:在降压或升压转换器中用作主开关或同步整流开关。
  3. 负载开关:在电池供电设备中控制负载的接通与断开。
  4. 电机驱动:用于驱动小型直流电机或其他负载。
  5. 工业自动化:如工业控制、逆变器和UPS系统等。
  由于其低导通电阻和高效率,AON6435特别适合于需要高性能和低功耗的设计。

替代型号

AON6434, AON6436

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AON6435参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线裸焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装带卷 (TR)