AON6411是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于消费电子、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域。AON6411通常用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等应用场合。
型号:AON6411
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):2.8mΩ
Id(连续漏极电流):59A
Vgs(th)(栅极开启电压):1.2V~2.2V
Qg(栅极电荷):21nC
Eoss(输出电容能量损耗):37nJ
Pd(功率耗散):202W
封装形式:TO-220FP
工作温度范围:-55℃~175℃
AON6411采用了先进的Trench MOSFET技术,具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,适用于高频应用。
3. 高耐压能力(Vds为30V),能够在多种电路环境下稳定运行。
4. 低栅极电荷(Qg),降低了驱动损耗。
5. 支持宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适合各种严苛环境下的应用。
6. 封装形式为TO-220FP,提供良好的散热性能。
AON6411由于其高性能特点,适用于以下应用场景:
1. 开关电源中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 各类负载开关设计,例如笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源管理。
4. 工业控制中的电机驱动和继电器替代。
5. 汽车电子中的电池保护与配电管理。
6. 通信设备中的信号调节和功率分配。
AONP6411, AOT2A10, IRFZ44N