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AON6411 发布时间 时间:2025/5/21 9:57:47 查看 阅读:18

AON6411是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于消费电子、计算机及外设、通信设备以及工业控制等领域。AON6411通常用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等应用场合。

参数

型号:AON6411
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):2.8mΩ
  Id(连续漏极电流):59A
  Vgs(th)(栅极开启电压):1.2V~2.2V
  Qg(栅极电荷):21nC
  Eoss(输出电容能量损耗):37nJ
  Pd(功率耗散):202W
  封装形式:TO-220FP
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

AON6411采用了先进的Trench MOSFET技术,具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗,适用于高频应用。
  3. 高耐压能力(Vds为30V),能够在多种电路环境下稳定运行。
  4. 低栅极电荷(Qg),降低了驱动损耗。
  5. 支持宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适合各种严苛环境下的应用。
  6. 封装形式为TO-220FP,提供良好的散热性能。

应用

AON6411由于其高性能特点,适用于以下应用场景:
  1. 开关电源中的同步整流功能。
  2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
  3. 各类负载开关设计,例如笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源管理。
  4. 工业控制中的电机驱动和继电器替代。
  5. 汽车电子中的电池保护与配电管理。
  6. 通信设备中的信号调节和功率分配。

替代型号

AONP6411, AOT2A10, IRFZ44N

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AON6411参数

  • 现有数量133,841现货
  • 价格1 : ¥13.36000剪切带(CT)3,000 : ¥5.67957卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)47A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.1 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)330 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)10290 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),156W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线