AON6403是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种便携式设备、消费类电子产品以及工业控制中的负载开关、电源管理电路和同步整流等应用场景。
由于其出色的电气性能和紧凑的封装尺寸,AON6403被广泛应用于需要高效能、小体积设计的场合。
型号:AON6403
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±8V
连续漏极电流(ID):2.7A(@Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):100mΩ(@VGS=4.5V),150mΩ(@VGS=2.5V)
总功耗(Ptot):420mW
工作温度范围(TJ):-55℃ to 150℃
AON6403的核心优势在于其优异的电气性能与紧凑的物理尺寸。以下是其主要特点:
1. 极低的导通电阻RDS(on),有助于减少功率损耗并提升系统效率。
2. 支持高达30V的漏源电压(VDS),能够满足大多数低压应用需求。
3. 具备快速开关能力,适用于高频操作环境。
4. SOT-23封装形式使其非常适合空间受限的设计场景。
5. 工作温度范围宽广,从-55℃到150℃均可稳定运行,增强了产品的可靠性和适应性。
6. 静电防护性能良好,符合JEDEC标准,便于生产加工及实际使用。
AON6403因其卓越的性能表现而适用于众多领域:
1. 消费电子类产品中的负载开关,例如手机、平板电脑等。
2. 各类便携式设备的电源管理单元,如电池充电器、DC-DC转换器等。
3. 在LED驱动电路中作为开关元件。
4. 工业自动化控制领域的信号隔离与切换。
5. 通信设备中的辅助电源模块。
6. 计算机外设及网络硬件中的同步整流功能实现。
AO3403,AONR2723,MDD6403,SI2302DS