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AON6240 发布时间 时间:2025/5/15 17:24:34 查看 阅读:7

AON6240是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  该器件通常封装在SOT-23封装中,具备出色的散热性能和紧凑的尺寸,适合空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):75mΩ
  栅极电荷:1.8nC
  总电容:38pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

AON6240的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,在特定条件下可以降低系统功耗。
  2. 快速开关能力,能够有效减少开关损耗并提升效率。
  3. 高可靠性设计,能够在广泛的温度范围内稳定运行。
  4. 小型化封装(SOT-23),节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品的要求。

应用

AON6240主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子设备中的DC-DC转换电路。
  2. 移动设备及便携式产品的负载开关。
  3. 同步整流电路,提高电源转换效率。
  4. 电池供电设备中的保护电路。
  5. 照明控制和小型电机驱动等功率管理相关应用。

替代型号

AO3400
  AON6229
  IRLML6402

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AON6240参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C85A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs88nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6550pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1334-6