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AON6220 发布时间 时间:2025/6/18 16:56:24 查看 阅读:4

AON6220是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于要求高效能的电源管理应用。AON6220常用于DC-DC转换器、负载开关、同步整流器以及其他需要低功耗和高性能的电路中。
  其小型化的封装设计有助于节省PCB空间,适合对尺寸敏感的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:19nC(典型值)
  反向恢复时间:40ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

AON6220具有非常低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提升整体系统效率。此外,它具备较高的雪崩耐量和热稳定性,确保在恶劣环境下依然可靠运行。
  该器件的快速开关性能使其非常适合高频开关应用,并且由于采用了Trench MOS技术,AON6220能够在较小的芯片面积内提供更出色的电气性能。
  其优化的封装设计也改善了散热性能,支持更高的功率密度。

应用

AON62220广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域中的多种电路:
  - DC-DC转换器
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 负载开关
  - 同步整流
  - 电池保护电路
  - 电机驱动

替代型号

AON6222
  AON6218
  IRLZ44N

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AON6220参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)48A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)95 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4525 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)113.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线