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AON6204 发布时间 时间:2025/5/8 14:59:29 查看 阅读:6

AON6204是东芝(Toshiba)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的SOT-23封装,适合在空间受限的应用中使用。AON6204具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够提供高效的功率转换和开关性能,适用于多种便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制领域中的负载开关、同步整流和DC-DC转换器等应用。
  该器件的工作电压范围为30V,并且具有快速开关速度,能够显著降低开关损耗,从而提升系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.5A
  导通电阻(Rds(on)):100mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  总功耗:420mW
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

AON6204的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,可减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关过程中的能量损耗。
  3. 小型化SOT-23封装,节省PCB板面积。
  4. 高可靠性设计,适用于各种严苛环境下的工作。
  5. 低栅极电荷,可以提高开关频率,同时减少驱动电路的复杂度。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺制造。

应用

AON6204广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理单元,例如手机、平板电脑和笔记本电脑。
  2. 各种便携式设备中的负载开关和电池保护电路。
  3. DC-DC转换器及同步整流电路中的功率开关。
  4. 工业自动化设备中的信号隔离与切换。
  5. LED驱动电路中的电流控制和调光功能实现。
  6. 其他需要高效功率转换和低功耗解决方案的场合。

替代型号

AO3400
  IRLML6402
  SI2302DS

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AON6204参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.9W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-DFN-EP(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1399-6