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AON6156 发布时间 时间:2025/4/30 17:25:59 查看 阅读:4

AON6156是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。这款功率MOSFET采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。
  该器件采用DFN33-8L封装形式,能够有效减少寄生电感,并提供出色的散热性能。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其非常适合高频开关应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.9A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:1340pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AON6156具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻,可以降低功耗并提高系统效率。
  2. 小型化的DFN33-8L封装,有助于节省PCB空间。
  3. 较高的电流承载能力,适用于高功率密度设计。
  4. 热稳定性良好,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 支持高频开关操作,适用于多种电源管理场景。

应用

AON6156主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. DC-DC转换器中的功率开关。
  5. 电池保护及充电管理电路。
  6. 各类高效能功率管理系统。

替代型号

AON6157, AON6158, IRF7832

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AON6156参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥5.88240卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)45 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)70 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3975 pF @ 22.5 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)78W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线