AON3820是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换应用。其封装形式为SOT-23-3L,适合于对空间要求较高的紧凑型设计。
由于其出色的性能,AON3820被广泛应用于消费类电子产品、计算机外设、工业控制以及通信设备等领域。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.6A
导通电阻(Rds(on)):75mΩ (典型值,当Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg):1nC (典型值)
总电容(Ciss):98pF (典型值)
工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23-3L
AON3820的主要特点是低导通电阻和高效率的开关性能,这使得它在降低功耗方面表现出色。同时,其小巧的SOT-23-3L封装非常适合用于需要节省PCB空间的设计。
AON3820还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。此外,其较低的栅极电荷减少了开关损耗,进一步提升了整体效率。
这种MOSFET的快速开关特性和低电容也使其成为高频应用的理想选择,例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。
AON3820适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC-DC转换器
3. 负载开关
4. 电池保护电路
5. 电机驱动
6. 消费类电子产品的电源管理模块
7. 计算机及外围设备的功率管理单元
8. 工业自动化控制中的功率开关
AON3821, AOD408, FDN340P