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AON3820 发布时间 时间:2025/4/28 18:12:34 查看 阅读:3

AON3820是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换应用。其封装形式为SOT-23-3L,适合于对空间要求较高的紧凑型设计。
  由于其出色的性能,AON3820被广泛应用于消费类电子产品、计算机外设、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2.6A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ (典型值,当Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):1nC (典型值)
  总电容(Ciss):98pF (典型值)
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23-3L

特性

AON3820的主要特点是低导通电阻和高效率的开关性能,这使得它在降低功耗方面表现出色。同时,其小巧的SOT-23-3L封装非常适合用于需要节省PCB空间的设计。
  AON3820还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。此外,其较低的栅极电荷减少了开关损耗,进一步提升了整体效率。
  这种MOSFET的快速开关特性和低电容也使其成为高频应用的理想选择,例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等场景。

应用

AON3820适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC-DC转换器
  3. 负载开关
  4. 电池保护电路
  5. 电机驱动
  6. 消费类电子产品的电源管理模块
  7. 计算机及外围设备的功率管理单元
  8. 工业自动化控制中的功率开关

替代型号

AON3821, AOD408, FDN340P

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AON3820参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)24V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.9 毫欧 @ 8A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1325pF @ 12V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装8-DFN(3x3)