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AOD9N40 发布时间 时间:2025/5/10 17:36:25 查看 阅读:3

AOD9N40是一款增强型N沟道MOSFET,采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用中。
  它能够在高频工作条件下保持高效的性能,同时提供出色的热稳定性和耐用性,适合需要高性能功率开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:26nC
  总电容:830pF
  功耗:14W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

AOD9N40的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适用于现代高效电源设计。
  3. 良好的热稳定性,确保在宽温度范围内可靠运行。
  4. 小型封装设计,节省PCB空间,便于布局优化。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 提供可靠的电气隔离和保护功能,防止过流或短路损坏。

应用

AOD9N40适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制开关。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 充电器及适配器设计中的关键功率器件。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FQP17N10, AON6212

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AOD9N40产品

AOD9N40参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1386-6