时间：2025/5/13 8:38:27
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AOD484是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。AOD484以其低导通电阻和快速开关特性而著称，适合需要高效能和低功耗的应用场景。
AOD484采用TO-252（DPAK）封装形式，能够提供较高的电流承载能力和散热性能。其设计优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而实现了高效的功率转换和较低的开关损耗。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻：23mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
AOD484具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功耗。
2. 快速的开关速度，降低了开关过程中的能量损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型化的封装形式，便于PCB布局并提高散热效率。
5. 宽泛的工作温度范围，适用于各种环境下的电子设备。
AOD484被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源和适配器。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化控制中的功率管理部分。
由于其出色的电气特性和可靠性，AOD484成为众多设计工程师在功率转换和控制应用中的首选解决方案。
AO484, IRFZ44N, FDP5570N
