时间：2025/8/25 3:53:05
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SGH10N60RUF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他功率电子设备中。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.65Ω（最大值可能为0.85Ω）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220FP
SGH10N60RUF具有多项优良的电气和热性能。首先，它的高击穿电压（600V）使其适用于各种高压应用场景，如电源适配器、工业控制系统和电机驱动器。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在0.65Ω左右，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，SGH10N60RUF的封装设计优化了热管理性能，使其能够在高功率下保持良好的散热效果。
该器件的栅极电压范围为±20V，具有较高的栅极稳定性，能够承受较高的瞬态电压而不易损坏。在工作温度方面，SGH10N60RUF支持-55°C至+150°C的宽温度范围，适合在极端环境条件下运行。此外，其40W的最大功耗确保了在连续工作状态下仍能保持稳定性能。
SGH10N60RUF还具有快速开关特性，能够实现高频操作，从而减少外围元件的尺寸和成本。其内部结构设计减少了开关损耗，提高了系统的整体能效。同时，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路保护能力，进一步增强了其可靠性和耐用性。
SGH10N60RUF广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制电路以及工业自动化设备。由于其高压和高电流能力，它也常用于LED照明驱动、家电控制和电动汽车充电系统等高要求的功率应用中。
SGH15N60RUF, STF10N60R0LD2, STD10N60M2
