时间：2025/4/29 14:02:18
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AOD1N60是一款基于MOS工艺制造的高压功率场效应晶体管（Power MOSFET），属于N沟道增强型器件。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等需要高效能开关的电路中，其高耐压特性和低导通电阻使其成为高性能功率管理的理想选择。
该器件具有出色的电气性能和可靠性，能够承受较高的电压并保持较低的导通损耗。此外，AOD1N60封装紧凑，适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：1.1A
栅极阈值电压：2~4V
导通电阻（Rds(on)）：900Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：3W
结温范围：-55℃~+150℃
1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，确保了高效的功率传输，降低了能量损耗。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
4. 小型化设计，节省PCB布局空间，非常适合便携式设备。
5. 优异的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机控制与驱动电路中的功率级元件。
4. 逆变器和UPS系统中的关键功率处理组件。
5. 各类工业自动化及消费电子产品的功率管理模块。
6. 电池保护和负载切换应用中的理想解决方案。
IRF640N, STP12NM60, FDP18N60C
