时间：2025/8/6 16:54:33
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CPZ1075M-TL 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON)）和快速的开关性能，有助于降低系统功耗并提高整体效率。CPZ1075M-TL 采用 TSMT6（TSC6）封装形式，适用于表面贴装工艺，适用于汽车电子、工业控制、DC-DC 转换器等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：7.5A（在 Tc=25℃）
导通电阻 RDS(ON)：最大 26mΩ（@VGS=10V, ID=3.75A）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TSMT6（TSC6）
CPZ1075M-TL 具有多个显著的性能特点，首先是其低导通电阻（RDS(ON)），最大仅为 26mΩ，这使得在高电流工作状态下，MOSFET 的导通损耗显著降低，从而提高了整体系统效率。该器件采用了罗姆先进的沟槽栅极技术，不仅降低了 RDS(ON)，还提升了开关速度，使其在高频开关应用中表现出色。
其次，CPZ1075M-TL 的最大漏源电压为 30V，能够满足中低压功率转换的需求，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、Buck/Boost 转换器等。其最大连续漏极电流为 7.5A，在良好的散热条件下可支持更高的电流输出，适用于高负载场景。
该器件的栅源电压容限为 ±20V，具备良好的抗过压能力，避免因栅极电压波动而引起的误触发或损坏。此外，其功率耗散能力为 2.5W，结合高效的封装设计，能够在有限的散热空间中实现良好的热稳定性。
CPZ1075M-TL 还具备优异的热阻特性，能够在 -55℃ 至 150℃ 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业控制、车载系统等对环境温度要求较高的应用场景。其 TSMT6 封装形式支持表面贴装，便于自动化生产并节省 PCB 空间。
CPZ1075M-TL 主要应用于各种中低压功率转换系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各类工业控制设备。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适用于高效率、高频开关电源设计。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统中，如车载充电器、LED 驱动器、电动助力转向系统等，满足汽车电子对可靠性和耐温性能的严格要求。
Si2302DS, AO3400A, IRF7413, FDS6675, IPD60R150PFD
