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AO8814 发布时间 时间:2025/4/30 9:05:12 查看 阅读:22

AO8814是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN33-1L封装形式,具有超低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费类电子、通信设备及工业应用中的负载开关、同步整流和DC-DC转换等场景。
  AO8814以其卓越的电气性能和紧凑的封装设计,在便携式电子产品中得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:5.2A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:7.9nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:DFN33-1L

特性

AO8814具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.6mΩ,从而降低功率损耗并提高效率。
  2. 高效的开关性能,得益于其较低的栅极电荷和输入电容,能够实现快速的开关切换。
  3. 紧凑的DFN33-1L封装节省了PCB空间,适合小型化设计需求。
  4. 较宽的工作温度范围,使其能够在极端条件下稳定运行。
  5. 具有出色的热稳定性,确保在高负载下的可靠性。
  这些特性使AO8814成为众多高效能功率管理应用的理想选择。

应用

AO8814主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关,例如智能手机和平板电脑。
  2. 同步整流电路中作为功率级MOSFET使用。
  3. DC-DC转换器中的开关元件。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 通信设备中的电源管理单元。
  由于其优越的性能和广泛的适用性,AO8814已成为许多设计工程师首选的功率MOSFET解决方案。

替代型号

AOZ8814, FDMT8814

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AO8814参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 N 沟道(双)共漏
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1390pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商设备封装8-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)