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VN06 发布时间 时间:2025/6/6 19:50:44 查看 阅读:4

VN06是一款基于硅技术制造的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于低功率开关和负载驱动等电路中。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合在消费电子、工业控制以及汽车电子等领域使用。VN06的封装形式为SOT-23,体积小巧,便于安装在高密度PCB板上。
  作为一款小信号MOSFET,VN06的主要功能是通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。由于其低功耗特性和较高的效率,VN06在众多便携式设备和电池供电应用中表现优异。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):1.1A
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(典型值,在Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):420mW
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
  封装形式:SOT-23

特性

VN06具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,能够减少开关过程中的功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高静电放电(ESD)防护能力,增强了器件在复杂电磁环境下的稳定性。
  4. 小巧的SOT-23封装使其适用于空间受限的设计场景。
  5. 广泛的工作温度范围,保证了其在极端条件下的可靠性。
  此外,VN06还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,这些特点使得它成为许多低功率应用的理想选择。

应用

VN06适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 消费类电子产品中的负载开关。
  3. 电池管理系统的保护电路。
  4. LED驱动电路。
  5. 电机驱动与控制。
  6. 数据通信接口保护。
  凭借其出色的性能和可靠性,VN06已经成为许多工程师在设计小型化、高效化电路时的首选元器件。

替代型号

VN0706, SI2302DS, BSS138

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VN06参数

  • 其它有关文件VN06 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型高端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻180 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道1.9A
  • 电流 - 峰值输出9A
  • 电源电压5.5 V ~ 26 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳Pentawatt-5(垂直,弯曲和错列引线)
  • 供应商设备封装5-PENTAWATT
  • 包装管件