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AO6800 发布时间 时间:2025/5/23 15:41:40 查看 阅读:13

AO6800是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN3333-8L封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用领域。
  AO6800在设计上注重效率和空间优化,非常适合需要高功率密度和低功耗的场合。其工作电压范围广,支持高达20V的漏源极电压,同时具备良好的热性能。

参数

型号:AO6800
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极耐压):20V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(连续漏极电流):19A
  栅极电荷(Qg):7nC
  封装形式:DFN3333-8L
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO6800具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够减少功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  3. 小型化的DFN3333-8L封装,节省PCB空间,特别适合紧凑型设计。
  4. 高额定电流能力,支持高达19A的连续漏极电流。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。
  这些特性使得AO6800成为各种高效能、小尺寸应用的理想选择。

应用

AO6800广泛应用于以下几个领域:
  1. 便携式电子设备中的电源管理,如智能手机和平板电脑。
  2. 负载开关,在不同电路模块之间提供高效的电力传输控制。
  3. DC-DC转换器中作为开关元件使用,以实现高效的电压转换。
  4. 电池供电设备中的功率路径管理。
  5. 电机驱动和LED驱动中的开关功能。
  由于其卓越的性能和紧凑的设计,AO6800几乎可以用于任何需要低损耗和快速响应的场合。

替代型号

AOZ6800AQ, AOZ6800AT

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AO6800参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.96nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds390pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.15W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1081-6