AO6800是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN3333-8L封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用领域。
AO6800在设计上注重效率和空间优化,非常适合需要高功率密度和低功耗的场合。其工作电压范围广,支持高达20V的漏源极电压,同时具备良好的热性能。
型号:AO6800
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极耐压):20V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
Id(连续漏极电流):19A
栅极电荷(Qg):7nC
封装形式:DFN3333-8L
工作温度范围:-55℃至150℃
AO6800具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻Rds(on),能够减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
3. 小型化的DFN3333-8L封装,节省PCB空间,特别适合紧凑型设计。
4. 高额定电流能力,支持高达19A的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得AO6800成为各种高效能、小尺寸应用的理想选择。
AO6800广泛应用于以下几个领域:
1. 便携式电子设备中的电源管理,如智能手机和平板电脑。
2. 负载开关,在不同电路模块之间提供高效的电力传输控制。
3. DC-DC转换器中作为开关元件使用,以实现高效的电压转换。
4. 电池供电设备中的功率路径管理。
5. 电机驱动和LED驱动中的开关功能。
由于其卓越的性能和紧凑的设计,AO6800几乎可以用于任何需要低损耗和快速响应的场合。
AOZ6800AQ, AOZ6800AT