HUFA76413 时间：2025/12/29 15:03:20 阅读：10

HUFA76413是一款由安森美半导体（onsemi）生产的高性能功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特性，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及各种高功率电子设备中。作为一款N沟道增强型MOSFET，HUFA76413在高温环境下依然能够保持稳定的工作性能，广泛应用于工业自动化、通信设备和汽车电子等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.0mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

HUFA76413具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流承载能力使其适用于大功率负载的控制，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作。此外，HUFA76413采用先进的沟槽式MOSFET技术，提高了开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其TO-263封装提供了良好的散热性能，并且支持表面贴装工艺，便于自动化生产。最后，该器件内置的雪崩能量保护功能增强了其在高能脉冲环境下的可靠性，适用于需要高稳定性和耐用性的工业和汽车应用。

应用

HUFA76413广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、电信电源设备、工业自动化控制设备以及汽车电子系统（如电动助力转向系统和车载充电器）。由于其优异的导热性能和稳定性，该器件也常用于需要高效能功率管理的高端消费电子产品中。