AO6407是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于需要高效功率转换的应用场景。AO6407广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等领域。
该器件封装形式为SOT-23,非常适合空间受限的设计环境,同时保持了良好的散热性能。
型号:AO6407
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):135mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):2.9A
Vgs(栅源电压):±20V
Qg(栅极电荷):5nC(典型值)
EAS(雪崩能量):345μJ
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:SOT-23
AO6407的主要特点是其低导通电阻和小尺寸封装设计。它在较低的Vgs下也能提供较低的Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高效率。此外,其快速开关特性和低栅极电荷使得动态损耗降到最低,非常适合高频开关应用。
由于采用SOT-23封装,AO6407能够在紧凑的空间内实现高性能表现,使其成为便携式电子设备的理想选择。同时,其出色的热稳定性和可靠性保证了长时间运行的稳定性。
AO6407还具有较高的雪崩能量能力,能够承受一定的过载条件而不损坏,增加了系统的安全性。
AO6407适用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器中的同步整流和开关功能。
2. 负载开关,在各种消费类电子产品中实现电源路径管理。
3. 电池保护电路,用于防止过流或短路情况。
4. 小型电机驱动,如手机振动马达或玩具电机。
5. 开关电源适配器和充电器中的初级或次级侧开关。
6. 固态继电器和信号切换。
由于其高效率和小尺寸,AO6407特别适合便携式设备、物联网设备以及其他对功耗和空间要求严格的系统。
AO3400A, IRLML6401TRPBF, FDN340P