AO6401是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型DFN2020-6封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,使其非常适合于消费电子、计算机及外设、工业控制等领域的各种应用。其工作电压范围较宽,可满足多种电路设计需求。
AO6401因其高效率和小体积,特别适用于需要节省空间和提升功率转换效率的设计中,例如多相控制器、负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:3.7A
导通电阻:85mΩ
栅极电荷:4.9nC
总电容:148pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
AO6401具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 小型化的DFN2020-6封装有助于减少PCB面积占用。
4. 较高的工作温度范围保证了在恶劣环境下的可靠运行。
5. 提供出色的热稳定性和电气稳定性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅。
AO6401广泛应用于各类高效能电子设备中,包括但不限于:
1. 多相控制器中的同步整流。
2. 负载开关以实现动态电源管理。
3. DC-DC转换器中的功率级开关。
4. 各类电池供电设备中的电池保护。
5. 电机驱动电路中的功率开关元件。
6. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理单元。
AO3401A, IRLML6401TRPBF