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AO6401 发布时间 时间:2025/5/7 18:16:01 查看 阅读:12

AO6401是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型DFN2020-6封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,使其非常适合于消费电子、计算机及外设、工业控制等领域的各种应用。其工作电压范围较宽,可满足多种电路设计需求。
  AO6401因其高效率和小体积,特别适用于需要节省空间和提升功率转换效率的设计中,例如多相控制器、负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.7A
  导通电阻:85mΩ
  栅极电荷:4.9nC
  总电容:148pF
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

AO6401具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 小型化的DFN2020-6封装有助于减少PCB面积占用。
  4. 较高的工作温度范围保证了在恶劣环境下的可靠运行。
  5. 提供出色的热稳定性和电气稳定性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

AO6401广泛应用于各类高效能电子设备中,包括但不限于:
  1. 多相控制器中的同步整流。
  2. 负载开关以实现动态电源管理。
  3. DC-DC转换器中的功率级开关。
  4. 各类电池供电设备中的电池保护。
  5. 电机驱动电路中的功率开关元件。
  6. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理单元。

替代型号

AO3401A, IRLML6401TRPBF

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AO6401参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)47 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)780 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457