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AO4892 发布时间 时间:2025/5/8 18:30:16 查看 阅读:3

AO4892是一款由Alpha & Omega Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型的DFN5x6-8封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种功率转换和负载开关应用。AO4892因其出色的性能和紧凑的封装,广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。

参数

型号:AO4892
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.8mΩ @ Vgs=10V
  Vgs(栅源极电压):±20V
  Id(连续漏极电流):117A
  Ptot(总功耗):4.6W
  封装形式:DFN5x6-8
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

AO4892的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高系统效率。
  其次,它具备快速开关能力,能够有效降低开关损耗,特别适合高频应用环境。
  另外,该器件具有坚固的雪崩能力和抗静电能力(ESD),提高了其在严苛条件下的可靠性。
  此外,其紧凑的封装设计有助于节省电路板空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  整体而言,AO4892凭借其优异的电气特性和热性能,非常适合用于高效能功率管理解决方案中。

应用

AO4892适用于多种应用领域,例如:
  1. DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 负载开关,在便携式设备中实现快速开启/关闭功能。
  3. 同步整流电路,提升转换效率。
  4. 电池保护电路,防止过流或短路情况。
  5. 电机驱动应用,如无人机、风扇等的小型电机控制。
  6. 消费类电子产品中的电源管理模块,如智能手机和平板电脑。
  由于其高电流处理能力和低Rds(on),AO4892在需要大电流传输和低损耗的应用中表现出色。

替代型号

AOZ4892, FDMQ8203, BSC018N06NS3

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AO4892参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格3,000 : ¥2.17867卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)68 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)415pF @ 50V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC