制造商：Qorvo
　　产品系列：High Performance RF Power Transistors
　　晶体管类型：NPN Silicon Bipolar
　　频率范围：DC - 1 GHz
　　典型工作频率：915 MHz
　　输出功率（Pout）：100 W（CW）
　　增益（Gain）：约20 dB @ 915 MHz
　　效率（Efficiency）：>70% 典型值
　　电源电压（Vcc）：32 V
　　输入反射损耗：>10 dB
　　封装形式：Ceramic/Metal Package (类似 SOT-223 或 Flanged Package)
　　安装方式：螺钉固定散热底座
　　热阻（Rth）：约1.0 °C/W
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C
　　工作结温：最高+200°C
　　引脚数：4 引脚
　　极性：射频功率 NPN

QM10TE-HB的核心特性之一是其卓越的热管理能力，这得益于其陶瓷金属封装结构，能够在高温环境下持续稳定工作。陶瓷材料具有极低的热膨胀系数，与硅芯片的热膨胀特性相匹配，有效减少因温度循环引起的内部应力，从而显著提升器件的长期可靠性。该封装还具备优良的气密性，防止湿气和污染物侵入，进一步增强了在恶劣工业环境中的耐用性。器件底部配有金属化法兰盘，可直接通过导热垫或焊料安装到散热器上，实现高效热传导，确保结温始终处于安全范围内。
　　另一个关键特性是其在915MHz ISM频段的高功率输出能力和高效率表现。在32V供电条件下，QM10TE-HB能够提供高达100W的连续波输出功率，同时保持超过70%的集电极效率，这对于降低系统功耗、减少冷却需求至关重要。高增益特性（约20dB）减少了前级驱动的需求，简化了整体放大链设计，降低了系统复杂度和成本。此外，该器件具有良好的输入/输出阻抗匹配特性，便于使用无源元件构建宽带匹配网络，适应不同负载条件下的稳定运行。
　　QM10TE-HB还具备出色的互调失真性能和线性度，适用于需要精确控制射频能量的应用场景，如医疗射频消融和材料处理。其推挽对称结构有助于抑制偶次谐波，改善信号纯度。器件经过严格的ESD保护设计和老化筛选，确保批量应用中的一致性和可靠性。此外，Qorvo为该系列产品提供完整的技术支持文档，包括应用笔记、参考电路板布局和热仿真模型，帮助工程师快速完成系统集成与调试。

QM10TE-HB主要应用于需要高功率射频能量输出的工业与医疗设备中。在工业领域，它被广泛用于射频加热系统，例如塑料热合、木材胶合、纺织品烘干以及食品加工中的射频干燥设备。其在915MHz频段的高效工作能力使得能量可以深入材料内部进行均匀加热，提高生产效率并降低能耗。此外，该器件也用于等离子体发生器，为半导体制造、表面处理和废气处理提供稳定的射频激励源。
　　在医疗领域，QM10TE-HB可用于射频消融设备，如肿瘤消融仪和心脏射频消融系统。这些设备依赖精确可控的射频能量来破坏病变组织，而QM10TE-HB的高稳定性和线性输出特性能够满足此类应用对安全性和精度的严格要求。同时，由于其具备良好的热稳定性和长寿命，适合在需要长时间连续运行的临床设备中使用。
　　此外，该器件还可用于科研领域的高功率射频源、磁共振设备的射频激励模块以及特种通信系统的末级功率放大器。其宽频带适应能力和高可靠性使其成为多种定制化射频功率系统的优选器件。系统设计者可通过搭配适当的驱动级放大器和定向耦合器，构建完整的射频功率链路，实现从信号源到负载的能量高效传输。

MRF101BN
　　LDMOS8S1HV
　　BLF188XR
　　PD55003