AO4842是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型的DFN3030-10封装,适用于高密度设计场合。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、便携式设备电源管理以及多相电压调节模块(VRM)等应用。AO4842的最大栅极驱动电压为10V,并能在较低电压下保持良好的性能。
漏源击穿电压:25V
连续漏极电流:4.9A
导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):6.5mΩ
导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):8mΩ
栅极电荷:1.7nC
总电容(输入电容):108pF
工作结温范围:-55℃至150℃
AO4842具有非常低的导通电阻,可以有效降低传导损耗,提高效率。同时,它具备快速开关速度,能够减少开关损耗,这对高频开关应用尤为重要。
此外,该器件的DFN3030-10封装尺寸小,有助于节省电路板空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
AO4842还支持较宽的工作温度范围,保证了在极端环境下的可靠运行。由于其出色的热稳定性和电气性能,AO4842是高效能功率转换应用的理想选择。
AO4842广泛应用于消费类电子产品的电源管理中,例如智能手机和平板电脑的充电电路、电池管理系统、USB Type-C PD适配器、笔记本电脑电源适配器等。
此外,它也常用于工业控制中的负载开关和电机驱动,以及通信设备中的多相VRM系统。任何需要高效、快速切换且节省空间的场景都可考虑使用AO4842。
AO4841
AON7602
IRLML6402