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AO4842 发布时间 时间:2025/4/29 11:49:13 查看 阅读:1

AO4842是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型的DFN3030-10封装,适用于高密度设计场合。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、便携式设备电源管理以及多相电压调节模块(VRM)等应用。AO4842的最大栅极驱动电压为10V,并能在较低电压下保持良好的性能。

参数

漏源击穿电压:25V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):6.5mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):8mΩ
  栅极电荷:1.7nC
  总电容(输入电容):108pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

AO4842具有非常低的导通电阻,可以有效降低传导损耗,提高效率。同时,它具备快速开关速度,能够减少开关损耗,这对高频开关应用尤为重要。
  此外,该器件的DFN3030-10封装尺寸小,有助于节省电路板空间,满足现代电子产品对小型化的需求。
  AO4842还支持较宽的工作温度范围,保证了在极端环境下的可靠运行。由于其出色的热稳定性和电气性能,AO4842是高效能功率转换应用的理想选择。

应用

AO4842广泛应用于消费类电子产品的电源管理中,例如智能手机和平板电脑的充电电路、电池管理系统、USB Type-C PD适配器、笔记本电脑电源适配器等。
  此外,它也常用于工业控制中的负载开关和电机驱动,以及通信设备中的多相VRM系统。任何需要高效、快速切换且节省空间的场景都可考虑使用AO4842。

替代型号

AO4841
  AON7602
  IRLML6402

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AO4842参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds820pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1064-6