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AO4818 发布时间 时间:2025/5/10 9:28:48 查看 阅读:8

AO4818是一款由Alpha & Omega Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3030-8封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,适用于便携式设备、消费电子以及工业应用中的负载开关、同步整流和DC-DC转换电路。其工作电压范围为2.5V至16V,并且具备优异的热性能。
  AO4818通过优化设计实现了更低的功耗和更高的效率,适合需要高性能功率管理的应用场景。

参数

最大漏源电压:16V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:4A
  导通电阻(Rds(on)):12mΩ(在Vgs=4.5V时)
  导通电阻(Rds(on)):17mΩ(在Vgs=2.5V时)
  总功耗:1.3W
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DFN3030-8

特性

AO4818的主要特点是低导通电阻和高效率,这使得它非常适合用于要求低损耗的场合。此外,它的紧凑型封装有助于减少PCB面积占用,同时保持良好的散热能力。
  该器件还具备出色的静电放电(ESD)保护性能,增强了其在各种环境下的可靠性。由于支持较宽的工作电压范围,AO4818能够适应多种不同的电源系统需求。
  典型优点包括:
  - 低导通电阻,降低功耗
  - 快速开关速度,提高效率
  - 小尺寸封装,节省空间
  - 高可靠性和稳定性

应用

AO4818广泛应用于需要高效功率转换和小体积解决方案的领域。具体应用包括:
  - 消费类电子产品中的负载开关
  - 移动设备及平板电脑的电源管理
  - USB充电端口保护
  - 同步整流电路
  - DC-DC转换器中的开关元件
  - LED驱动电路
  - 工业自动化设备中的信号控制
  其小巧的外形与卓越的电气性能使其成为现代电子设备的理想选择。

替代型号

AO4819
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AO4818参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)888pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC