AO4614S是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN5x6-8封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于消费电子、通信设备以及工业控制中的功率管理应用。其出色的性能使其成为便携式设备和空间受限设计的理想选择。
AO4614S支持高达30V的漏源电压,并具备极低的导通电阻(Rds(on)),从而能够显著减少功率损耗并提高效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏电流(25°C时):7.9A
导通电阻(Rds(on))@ Vgs=4.5V:9mΩ
导通电阻(Rds(on))@ Vgs=10V:7mΩ
总功耗:1.8W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DFN5x6-8
AO4614S具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中实现更高的效率。
2. 小尺寸DFN5x6-8封装,非常适合空间受限的设计。
3. 高开关速度,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
4. 较宽的工作温度范围,确保在各种环境条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 内置ESD保护功能,增强了芯片的抗静电能力,提高了整体可靠性。
AO4614S广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动电路。
5. 工业自动化设备中的信号切换。
6. 充电器和适配器中的功率管理。
7. 各种便携式设备中的高效功率转换方案。
AO4612S, AO4613S