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AO4614B 发布时间 时间:2025/5/10 12:26:29 查看 阅读:10

AO4614B是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。该器件采用DFN33-2L封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、电池管理以及负载开关等应用场合。
  该器件的典型应用场景包括DC-DC转换器、降压转换器、负载开关、LED驱动器以及其它需要高效功率转换的电子电路中。

参数

最大 drain-source 电压:30V
  连续 drain 电流:3.5A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ @ Vgs=4.5V
  栅极电荷(Qg):9nC
  反向恢复时间(trr):27ns
  工作温度范围:-55°C to +150°C
  封装形式:DFN33-2L

特性

AO4614B的主要特性在于其出色的电气性能和小型化的封装设计:
  1. 极低的导通电阻使得该器件在高电流条件下仍然能够保持较低的功耗。
  2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗,并提高整体效率。
  3. 小型化的DFN33-2L封装使其非常适合空间受限的应用场景。
  4. 较宽的工作温度范围确保了该器件在极端环境下的可靠性。
  5. 低栅极电荷进一步提升了其高频开关性能。

应用

AO4614B适用于多种电源管理和功率转换场景,具体应用包括:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. USB充电端口保护。
  3. DC-DC转换器中的同步整流。
  4. LED驱动器中的功率控制。
  5. 各类便携式设备的电池管理电路。
  6. 空间有限的小型化设计中的高效功率开关组件。

替代型号

AO4614, AO4612B, FDN340P

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AO4614B参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A,5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 20V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1294-6