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AO4576 发布时间 时间:2025/6/12 19:35:58 查看 阅读:9

AO4576是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于便携式设备、消费电子、电源管理等领域的负载开关和同步整流电路中。
  AO4576的设计优化了其在高频开关应用中的表现,同时具备极低的栅极电荷,从而降低了开关损耗并提高了效率。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):4.1A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):6nC
  总电容(Ciss):135pF
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

AO4576的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 小型化封装DFN2020-6,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
  3. 快速开关性能,得益于低栅极电荷Qg和低输入电容Ciss。
  4. 较宽的工作温度范围,适用于多种环境条件下的应用。
  5. 高可靠性与稳定性,满足现代电子设备对功率器件的要求。
  此外,AO4576还具备较低的反向恢复电荷,这使其非常适合高频开关场景。

应用

AO4576主要应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载开关,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
  2. 同步整流电路,用于DC-DC转换器或逆变器。
  3. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  4. 消费类电子产品中的电源管理单元(PMU)。
  5. 电机驱动和LED照明驱动电路中的功率开关组件。
  由于其低导通电阻和小型封装,AO4576是需要高效率和小尺寸解决方案的理想选择。

替代型号

AO4606, AO4608, FDMT4606

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AO4576参数

  • 现有数量27现货
  • 价格1 : ¥4.77000剪切带(CT)3,000 : ¥1.68199卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)951 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)