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AO4496 发布时间 时间:2025/5/27 16:39:41 查看 阅读:22

AO4496是一种由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关性能,非常适合用于消费电子、计算机及外设、通信设备等领域的电源管理应用。
  AO4496的封装形式为DFN5x6-8L,这种封装形式有助于提高散热性能并减少寄生电感,从而提升整体效率。此外,其工作电压范围广,能够承受较高的漏源极电压,确保在多种电路环境中稳定运行。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:66nC
  输入电容:2480pF
  反向传输电容:370pF
  结温范围:-55℃至175℃

特性

AO4496具备极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下有效降低功耗,提升系统效率。
  其快速开关能力使得该器件适合高频DC-DC转换器应用,同时可以显著减少开关损耗。
  此外,AO4496的热稳定性良好,能够在高温环境下保持可靠的性能表现。
  器件的封装形式DFN5x6-8L不仅节省空间,还便于实现高效的热管理和电气连接。
  由于其出色的电气性能和可靠性,AO4496成为众多设计工程师在功率转换和负载切换应用中的理想选择。

应用

AO4496广泛应用于各种需要高效功率管理的场合,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和台式机的主板电源管理
  2. 高效DC-DC转换器
  3. OR-ing控制器
  4. 电机驱动控制
  5. 固态硬盘(SSD)电源管理
  6. 多相VRM(电压调节模块)
  7. 电信及网络设备中的负载开关
  其强大的电流承载能力和低导通电阻使其特别适合于大电流、高效率的应用场景。

替代型号

AO4424
  AON26901
  IRLR7843
  FDP5512

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AO4496参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds715pF @ 15v
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1292-6