型号：XHF-23+
　　制造商：Mini-Circuits
　　封装类型：SMD
　　工作模式：无源双平衡混频器
　　射频频率范围：10 MHz - 3 GHz
　　本振频率范围：10 MHz - 3 GHz
　　中频频率范围：DC - 1.5 GHz
　　本振驱动电平：+7 dBm
　　典型转换损耗：7.5 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+25 dBm
　　本振-射频隔离度：35 dB
　　本振-中频隔离度：30 dB
　　射频-中频隔离度：25 dB
　　阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大射频输入功率：+20 dBm
　　安装方式：表面贴装

XHF-23+ 混频器具备卓越的高频性能与稳定性，适用于各种严苛的射频环境。其核心优势在于宽频带操作能力，能够在10 MHz至3 GHz的射频和本振频率范围内稳定工作，覆盖了从低频通信到高频无线链路的广泛应用场景。这种宽带特性得益于内部精心设计的宽带变压器与精确匹配的二极管环结构，使得输入与输出端口在整个频段内保持良好的阻抗匹配，从而降低驻波比并提高能量传输效率。
　　另一个显著特点是其高线性度表现，典型输入三阶交调截点（IIP3）高达+25 dBm，这意味着即使在多信号共存的复杂电磁环境中，XHF-23+ 也能有效抑制互调产物，减少邻道干扰，提升接收系统的动态范围。这对于现代通信系统中的高密度信号处理至关重要，尤其是在软件定义无线电和频谱监测设备中，能够准确还原微弱信号而不受强干扰信号的影响。
　　该混频器仅需+7 dBm的本振驱动功率即可正常工作，相较于其他同类器件降低了对本振源的输出功率要求，有利于简化前端放大电路设计，节省功耗与成本。同时，其低转换损耗（典型值7.5 dB）确保了信号链路中的功率损失最小化，有助于维持整体系统的信噪比水平。
　　端口之间的高隔离度也是XHF-23+ 的关键特性之一。LO-RF、LO-IF 和 RF-IF 的隔离度分别达到35 dB、30 dB 和25 dB以上，有效防止了本振泄漏对射频前端或中频后级电路造成干扰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）。
　　此外，XHF-23+ 采用小型化表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺，提高了生产效率。其全无源结构无需供电，增强了系统安全性与可靠性，尤其适用于远程基站、航空航天及野外移动通信设备等对电源依赖较低的应用场合。

XHF-23+ 被广泛应用于各类高性能射频系统中，特别是在需要宽频带、高线性度和低失真的频率转换环节。一个典型应用场景是软件定义无线电（SDR）平台，其中XHF-23+ 可作为上变频或下变频的核心组件，将基带或中频信号调制到射频频段，或将接收到的射频信号解调为便于数字处理的中频信号。由于其宽频率覆盖能力和良好的动态范围，非常适合用于多模多频段通信系统的前端设计。
　　在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，XHF-23+ 常被用作谐波混频模块的一部分或主混频单元，以实现精确的频率变换和稳定的幅频响应。其高隔离度和低互调特性保证了测量结果的准确性，避免因器件非理想行为引入额外误差。
　　该混频器也适用于卫星通信地面站、雷达接收机前端以及微波点对点通信链路中，承担信号降频任务，以便后续进行放大、滤波和数字化处理。在这些应用中，系统往往面临高强度电磁干扰和宽温工作环境，而XHF-23+ 凭借其出色的环境适应性和可靠性，能够长期稳定运行。
　　此外，在科研实验装置如射电天文接收机、量子通信系统和高速数据采集系统中，XHF-23+ 因其低噪声贡献和高保真信号转换能力，成为研究人员构建高性能模拟前端的重要选型之一。其无需供电的特点也便于在低温或真空环境中部署使用。

ZX80-3MH-S+
　　HSO-3H+
　　UMT-3H+