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AO4494 发布时间 时间:2025/5/8 14:07:19 查看 阅读:22

AO4494是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3x3-8L封装,具有极低的导通电阻和高开关速度,适合用于各种高效能功率转换应用。AO4494主要应用于消费类电子产品、计算机及外设、通信设备等领域。
  其典型特点包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关能力以及出色的热性能。这些特性使其非常适合于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及其他需要高效功率管理的场合。

参数

导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):17A
  脉冲漏极电流(Ibm):42A
  总功耗(Ptot):1.3W
  结温范围(Tj):-55℃ to +175℃
  封装形式:DFN3x3-8L

特性

AO4494具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),能够减少传导损耗并提高效率。
  2. 高效的开关性能,得益于其低栅极电荷设计,适合高频应用。
  3. 超小型DFN3x3-8L封装,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
  4. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于各种恶劣环境下的应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠性高。
  6. 提供出色的ESD保护,确保在制造和使用过程中的稳定性。

应用

AO4494广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品的电源管理。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和功率级开关。
  3. 笔记本电脑和平板电脑的电池管理系统。
  4. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流管。
  5. 电机驱动电路中的功率开关。
  6. 各种便携式设备中的负载开关和保护电路。

替代型号

AOZ4494, IRF7832, FDP039N03L

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AO4494参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1291-6