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AO4486 发布时间 时间:2025/5/22 23:05:07 查看 阅读:20

AO4486是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET,采用超小型DFN3333-10封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流以及DC-DC转换器等应用。其工作电压范围为20V,能够满足多种低压应用场景的需求。
  AO4486的低导通电阻(Rds(on))在典型条件下可达到7.5mΩ(@Vgs=4.5V),从而显著降低了功率损耗并提高了效率。同时,它还具备极低的栅极电荷,有助于实现高效的高频开关性能。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ @ Vgs=4.5V
  栅极电荷:4nC
  总电容:190pF
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装类型:DFN3333-10

特性

1. 超低导通电阻,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化DFN封装,节省PCB空间。
  4. 高可靠性,适用于各种恶劣环境。
  5. 支持大电流运行,增强器件稳定性。
  6. 工作温度范围宽,适应更多场景需求。

应用

1. 移动设备中的负载开关。
  2. 同步整流电路中的关键元件。
  3. DC-DC转换器的核心开关组件。
  4. 电池管理系统中的保护开关。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. 其他需要高效开关和低功耗的场合。

替代型号

AO4401A
  IRLML6401
  FDMQ8207

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AO4486参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C79 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds942pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)