时间：2025/4/24 16:08:01
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AO4485是一种由Alpha and Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换和负载开关应用。AO4485的封装形式为DFN3x3-8L，非常适用于空间受限的设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
持续漏极电流(Id)：6.1A
导通电阻(Rds(on))：2.6mΩ（在Vgs=4.5V时）
导通电阻(Rds(on))：1.9mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：7.5nC
输入电容(Ciss)：1240pF
输出电容(Coss)：200pF
反向传输电容(Crss)：85pF
结温范围：-55℃至+150℃
具备极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其高开关速度使其非常适合高频应用场合。此外，该器件采用了小型DFN3x3-8L封装，有助于减少PCB占用面积，满足现代电子设备对紧凑设计的需求。
由于其出色的电气性能和热性能，AO4485能够在各种恶劣的工作条件下保持稳定运行。它还具有较强的抗静电能力(ESD)，进一步提升了产品的可靠性。
广泛应用于消费类电子产品、计算机及外设、通信设备等领域。典型的应用场景包括但不限于DC-DC转换器、电池管理模块、电机驱动电路、负载开关以及保护电路等。凭借其优异的性能表现，AO4485成为工程师设计高效能功率系统的理想选择。
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