KME100VB10MBP 时间：2025/9/10 11:14:56 阅读：20

KME100VB10MBP 是一款由 KAMAYA（嘉弥）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的电子应用。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和高效能的特点。KME100VB10MBP 的设计适用于电源转换、电机控制、电池管理系统和工业自动化等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 2.7mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V

特性

KME100VB10MBP 具有多种优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下，器件的功率损耗较低，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用了先进的硅芯片技术，使得其在高频率开关应用中表现优异，能够满足现代电源系统对高开关速度的需求。
　　此外，该器件的封装采用 TO-247 大功率封装形式，具有良好的散热性能，能够有效降低工作时的温度，延长使用寿命。同时，其高栅极驱动电压（±20V）确保了在不同应用环境下，器件能够稳定工作，避免因过电压而引起的损坏。
　　KME100VB10MBP 还具备良好的抗短路能力和高雪崩能量耐受能力，使其在工业和汽车应用中具有更高的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）也使其能够在极端环境条件下稳定运行。

应用

KME100VB10MBP 主要用于需要高电流、高效率和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、工业自动化设备以及电动汽车的功率控制系统。
　　在电源管理方面，该MOSFET可作为主开关元件，用于提高电源转换效率并减少发热。在电机控制应用中，由于其高电流承载能力和快速开关特性，可以实现精准的PWM控制，从而提升电机的运行效率和响应速度。此外，在新能源汽车领域，KME100VB10MBP 可用于逆变器或充电系统中，确保电力转换的高效性和稳定性。