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AO4484 发布时间 时间:2025/4/30 20:36:55 查看 阅读:20

AO4484是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电系统的应用。
  AO4484设计旨在优化效率和空间利用率,其小尺寸使其非常适合对PCB面积要求严格的场合。同时,它具备较低的栅极电荷和输出电容,这使得它在高频开关应用中表现出色。

参数

型号:AO4484
  封装:DFN2020-6
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻,典型值@Vgs=4.5V):7mΩ
  Id(持续漏极电流):9A
  Qg(栅极电荷):1.8nC
  Ciss(输入电容):123pF
  Coss(输出电容):42pF
  Vgs(th)(栅极开启电压):1V~2.5V
  f(t)(工作频率):最高可达数MHz

特性

AO4484的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 小型化封装,适合紧凑型设计。
  3. 快速开关能力,能够支持高频操作。
  4. 栅极驱动要求低,便于与逻辑电路直接接口。
  5. 高可靠性和稳定性,适用于多种电源管理场景。
  这些特点使得AO4484成为许多现代电子设备中功率管理和信号切换的理想选择。

应用

AO4484广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  2. 各类DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 电池保护和管理系统。
  4. 固态继电器和电机驱动。
  5. USB充电端口保护和切换。
  由于其高效能表现及紧凑的封装形式,AO4484特别适合需要节省空间且追求高性能的应用环境。

替代型号

AOZ4484EH, AOZ4484EF

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AO4484参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1950pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1202-6