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AO4459 发布时间 时间:2025/7/5 5:56:55 查看 阅读:91

AO4459是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor公司生产。该器件采用小型化SOT-23封装,适用于空间受限的设计。AO4459具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关能力,使其在电源管理、负载开关以及便携式设备中的应用中表现出色。
  AO4459的低导通电阻有助于减少功率损耗,提高效率,并且其栅极驱动要求较低,易于与各种控制器配合使用。此外,其高雪崩能力和鲁棒性也使其能够承受异常工作条件下的应力。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±12V
  最大漏电流(Id):6.7A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):420mW
  结温范围(Tj):-55℃至150℃

特性

AO4459的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。其85mΩ的低导通电阻显著降低了传导损耗,特别是在低压应用中表现优异。
  此外,该器件支持高达6.7A的连续漏极电流,适合较高电流的应用场景。其SOT-23封装形式非常紧凑,非常适合对空间有严格要求的设计。
  AO4459还具有出色的抗雪崩能力,能够在短路或过载条件下提供额外的保护。这种可靠性使其成为许多消费类电子产品的理想选择。

应用

AO4459广泛应用于多种领域,例如DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及USB端口保护等。它特别适合于需要高效功率转换和低静态功耗的场合。
  在便携式设备中,AO4459常被用于实现高效的电源管理解决方案。例如,在手机和平板电脑等移动设备中,它可以用来控制外围设备的供电状态,从而延长电池续航时间。
  此外,由于其紧凑的封装和高性能指标,AO4459也被广泛应用于汽车电子辅助系统和其他工业自动化领域。

替代型号

AO3402A, FDMT3180, BSS138

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AO4459参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1036-6