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AO4430 发布时间 时间:2025/5/23 0:16:02 查看 阅读:15

AO4430是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN5x6-8L封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于消费电子、通信设备及工业控制等领域中的高效功率转换应用。
  AO4430的额定电压为30V,适合用于低至中等电压的应用场景。其主要用途包括DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12.1A
  导通电阻(典型值):2.7mΩ
  栅极电荷:20nC
  输入电容:1100pF
  反向传输电容:180pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

AO4430的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 超小型DFN5x6-8L封装,节省PCB空间,适合高密度设计。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 高度可靠的电气性能,在严苛的工作环境下依然表现出色。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种复杂环境下的应用需求。

应用

AO4430广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理模块,例如智能手机和平板电脑。
  2. 笔记本电脑及适配器中的DC-DC转换器。
  3. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电保护。
  4. 各种负载开关和保护电路,确保系统的稳定运行。
  5. 小型电机驱动器,提供高效的功率控制。
  6. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节部分。

替代型号

AO3400A

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AO4430参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs124nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7270pF @ 15V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1028-6