AO4423是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN-3封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、同步整流器以及其他低压应用中。由于其卓越的性能,AO4423在效率和空间受限的设计中非常受欢迎。
最大漏源电压:30V
最大连续漏电流:3.1A
导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,Vgs=4.5V时)
栅极电荷:9nC(典型值)
总电容:270pF(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:DFN-3(1x1mm)
最低工作电压:0V
最高工作电压:30V
AO4423具有出色的导通电阻特性,在小封装尺寸下提供了高效的性能。
它采用了先进的半导体制造工艺,确保了低导通损耗和快速开关速度。
器件具备高可靠性和鲁棒性,适用于要求严格的电路环境。
由于其小尺寸和高性能,AO4423非常适合对空间和能效敏感的应用场景。
此外,它的低栅极电荷和小封装使得它成为高频开关应用的理想选择。
AO4423广泛应用于各种便携式设备和消费类电子产品中,包括但不限于:
智能手机和平板电脑中的负载开关。
USB充电端口保护和切换。
电源管理模块中的同步整流器。
DC-DC转换器中的功率开关。
电池供电设备中的高效开关元件。
其他需要低导通损耗和小占位面积的应用场景。
AOZ4423, BSC018N06LSG, FDS6680