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AO4402 发布时间 时间:2025/5/8 9:09:27 查看 阅读:7

AO4402是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型的DFN3333-10封装,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。AO4402具有极低的导通电阻(Rds(on)),在栅极电压为4.5V时,其典型值仅为2.5mΩ。此外,它还具有快速开关特性,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制。
  由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计,AO4402被广泛应用于消费电子、通信设备及工业领域。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ@Vgs=4.5V,3.5mΩ@Vgs=10V
  栅极电荷:2.9nC
  总电容:325pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
  2. 超小型DFN3333-10封装,节省PCB空间。
  3. 快速开关速度,适合高频应用。
  4. 高电流处理能力,支持高达17A的连续漏极电流。
  5. 宽工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。

应用

1. DC-DC转换器
  2. 开关电源(SMPS)
  3. 负载开关
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 电机驱动
  6. 便携式电子产品中的功率控制
  7. 消费类电子设备中的电源管理模块

替代型号

AO4402A, AO4402E

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AO4402参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 20A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4630pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)