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AO4354 发布时间 时间:2025/5/9 17:43:40 查看 阅读:6

AO4354是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用先进的制程技术制造,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛适用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计场景。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:DFN5x6-8L
  Vds(漏源极电压):40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(持续漏极电流):29A
  Qg(栅极电荷):17nC
  Bvdss(漏源击穿电压):40V
  Vgs(th)(栅极开启电压):1.5V~2.5V
  f(tsw)(切换频率):高达2MHz
  Tj(结温范围):-55℃ to 150℃

特性

AO4354以其低导通电阻和高效率著称。
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升整体系统效率。
  2. 高额定电流和耐压能力,确保在高压或大电流条件下稳定工作。
  3. 小型化的DFN5x6封装,节省PCB空间,并具备良好的散热性能。
  4. 快速开关能力支持高频操作,适用于开关电源、DC-DC转换器等应用。
  5. 超低的栅极电荷量(Qg)进一步降低了开关损耗。
  6. 宽广的工作温度范围(-55℃至150℃),适合各种环境条件下的使用。

应用

AO4354适用于多种电子领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器,如降压、升压或反激式转换器。
  3. 消费类电子产品中的负载开关。
  4. 笔记本电脑和移动设备中的电池管理系统。
  5. 工业控制中的电机驱动和功率管理模块。
  6. LED照明驱动电路。
  7. 电信设备中的高效功率转换方案。

替代型号

AO4351
  IRLR7843
  FDP5501
  Si4471DY

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AO4354参数

  • 现有数量164,094现货
  • 价格1 : ¥6.04000剪切带(CT)3,000 : ¥2.34814卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)49 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2010 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)