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AO4292 发布时间 时间:2025/4/29 13:13:02 查看 阅读:28

AO4292是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3x3封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效能的电源管理应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率,同时紧凑的封装使其适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
  栅极电荷:6nC(典型值)
  总栅极电荷:9nC(最大值)
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装类型:DFN3x3-8

特性

AO4292具备低导通电阻和低栅极电荷,这使得它在高频开关应用中表现出色。
  其超小型封装设计非常适合于移动设备、消费类电子以及其他对空间要求严格的场合。
  此外,该器件还具有较低的反向恢复电荷,可进一步降低开关损耗。
  AO4292支持高电流操作,能够在大负载条件下维持高效的性能。
  其稳健的热性能也确保了在高温环境下的可靠性。

应用

AO4292广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等领域。
  在消费类电子产品中,例如智能手机和平板电脑的充电电路中,AO4292因其高效性和紧凑性而备受青睐。
  它还可用于笔记本电脑适配器、LED驱动器以及其他需要高性能功率转换的应用场景。

替代型号

IRLML6344
  AO4290
  FDMQ8207

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AO4292参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列AlphaMOS
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)23 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1190 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)