时间：2025/5/7 15:40:49
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AO4262E是由Alpha & Omega Semiconductor（万国半导体）生产的一款增强型N沟道MOSFET。该器件采用超薄芯片设计，能够显著降低导通电阻和开关损耗，适用于高效率、高密度的电源管理应用。AO4262E使用DFN5x6-8L封装，具有非常低的热阻和出色的散热性能，使其非常适合空间受限的设计场景。
其额定电压为30V，适用于各种消费类电子、通信设备以及工业应用中的负载开关、DC-DC转换器和同步整流等场合。
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN5x6-8L
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：19A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ @ Vgs=4.5V, 3.2mΩ @ Vgs=10V
总栅极电荷(Qg)：28nC
输入电容(Ciss)：1440pF
工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C
AO4262E的主要特点包括以下几点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=4.5V时仅为2.5mΩ，能够有效减少导通损耗并提高整体系统效率。
2. 小巧的DFN5x6-8L封装形式，节省PCB面积，同时具备优秀的散热性能。
3. 高耐压能力，支持高达30V的工作电压，确保在多种应用场景下的稳定性和可靠性。
4. 快速开关性能，总栅极电荷Qg仅为28nC，有助于降低开关损耗。
5. 宽广的工作温度范围(-55°C至+150°C)，使其适合各种恶劣环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
AO4262E广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
2. 各种降压和升压型DC-DC转换器，如手机快充适配器、笔记本电脑电源模块等。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和功率控制。
4. 通信设备中的电源管理和信号切换。
5. LED驱动器中作为开关元件使用，提供高效稳定的电流输出。
6. 同步整流器，在反激式变换器和其他拓扑结构中用以提升效率。
AO4262
