HGTG32N60E2 时间：2025/12/29 14:40:42 阅读：16

HGTG32N60E2是一款由ON Semiconductor生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于需要高电流和高电压能力的应用场景，例如电源开关和电机控制。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合用于高效率的功率转换和控制系统。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：87nC
　　

特性

HGTG32N60E2 MOSFET拥有优异的性能特性，包括高电流承载能力和低导通电阻，这使得它在高功率应用中能够提供更高的效率。其高耐压能力（600V）确保了在高电压环境中的稳定性。此外，该器件具有良好的热稳定性，可以在-55°C至+150°C的温度范围内工作，适用于各种苛刻的工业环境。HGTG32N60E2采用了先进的制造工艺，使其在高频率操作中表现良好，减少了开关损耗。
　　这款MOSFET的封装形式为TO-247，提供了良好的散热性能，同时方便安装和集成到各种电路板中。由于其卓越的电气和热性能，HGTG32N60E2非常适合用于电源转换器、电机驱动器和高功率开关应用。

应用

HGTG32N60E2 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括电源供应器、不间断电源（UPS）、电机控制、变频器、工业自动化设备以及家用电器等。它特别适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备，例如直流-交流逆变器、开关电源（SMPS）以及电力调节系统。在这些应用中，HGTG32N60E2能够提供出色的性能，同时减少能量损耗，提高系统的整体效率。