时间：2025/5/9 9:01:35
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AO4260是一款由Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN5*6-8L封装，适用于需要高效能、低功耗的应用场景。其极低的导通电阻和出色的开关性能使其成为电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备的理想选择。
AO4260的设计旨在减少功率损耗并提高系统效率，广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：19A
导通电阻：2.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：47nC（典型值）
反向恢复时间：26ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN5*6-8L
AO4260具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为2.2mΩ，能够显著降低导通损耗。
2. 高效的开关性能，支持高频应用，得益于其较小的栅极电荷和快速的反向恢复时间。
3. 强大的电流处理能力，额定连续漏极电流为19A。
4. 小型化封装（DFN5*6-8L），适合空间受限的设计。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
AO4260适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路和充电管理系统。
4. 负载开关，用于便携式电子设备。
5. 电机驱动器中的功率级开关。
6. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、平板电脑和智能手机的电源管理模块。
7. 工业自动化设备中的电源转换与控制部分。
AO4261
IRLR7843
Si7470DN
