时间：2025/7/12 4:00:53
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SH31N270J501CT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 N 沟道技术。该器件专为高电压、大电流应用而设计，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。其优异的导通电阻和快速开关性能使其成为高效能电力电子设备的理想选择。
该芯片具备低导通电阻特性，可有效减少功率损耗，同时具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端工作条件下保持稳定的性能。
型号：SH31N270J501CT
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：1200 V
额定电流：27 A
导通电阻：60 mΩ
栅极电荷：90 nC
最大功耗：150 W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SH31N270J501CT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：额定电压高达 1200V，能够满足高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：仅为 60mΩ，从而显著降低导通损耗并提高效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和输出电荷，支持高频操作。
4. 高温稳定性：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内可靠运行。
5. 热增强型封装：TO-247 封装提供高效的散热性能，确保在高功率应用中的长期稳定性。
6. 符合 RoHS 标准：环保且适合现代工业要求。
SH31N270J501CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效 DC-DC 和 AC-DC 转换电路。
2. 电机驱动：控制各类直流和交流电机，如伺服电机和步进电机。
3. 逆变器：太阳能逆变器和 UPS 系统中作为核心功率器件。
4. 工业自动化：用作各种工业控制设备中的功率开关。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV)：参与电池管理系统和电动机控制器。
6. 充电器：手机快充、笔记本电脑适配器和其他高功率充电解决方案。
STW81N120M2, IRFP260N, FGH27N120ND
