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AO3423 发布时间 时间:2025/5/7 17:29:02 查看 阅读:4

AO3423是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Alpha and Omega Semiconductor生产。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,非常适合用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器、电源管理模块以及各种高效能应用中。其小型封装设计使其成为空间受限设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:75mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:630mW
  工作结温范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

AO3423以其卓越的电气性能和紧凑的外形著称。
  1. 低导通电阻降低了功率损耗,提升了整体效率,尤其是在大电流应用场景中。
  2. 快速开关能力减少了开关损耗,适用于高频电路。
  3. 小型SOT-23封装节省了PCB空间,非常适合便携式电子产品。
  4. 高可靠性和宽温度范围使其能够在各种环境条件下稳定运行。
  5. 具有优秀的静电放电(ESD)保护功能,增强了器件的耐用性。

应用

AO3423广泛应用于消费电子及工业领域中的多种场景,包括但不限于:
  1. 移动设备中的负载开关,如智能手机和平板电脑。
  2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  3. 电池供电设备中的电源管理模块。
  4. LED驱动器以实现高效的亮度控制。
  5. 各种工业自动化设备中的信号切换与控制单元。

替代型号

AO3400
  IRLML6401
  BSS138

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AO3423参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C92 毫欧 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds620pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1016-6