时间：2025/8/6 14:14:21
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ANMS25B880N3是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高功率开关应用，例如电源转换器、马达控制和工业自动化系统。这款MOSFET具备高电压和大电流的处理能力，适合需要高效能和高可靠性的场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：880V
漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.25Ω
栅极电压(Vgs)：±30V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
ANMS25B880N3功率MOSFET具备较低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够减少功率损耗和热量产生，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压输入的电路设计，同时其耐用性和稳定性在高温环境下也表现良好。
此外，这款MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统的动态响应能力。其坚固的封装设计（TO-247）能够有效散热，确保在高负载条件下的长期可靠性。同时，它还具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在极端条件下保护电路免受损坏。
ANMS25B880N3主要用于需要高电压和高电流处理能力的功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、逆变器、马达驱动器和工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于照明系统、电池充电器和不间断电源（UPS）等应用，以提供高效的电力转换和稳定的性能。
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"ANMS25B880N3的替代型号可能包括：IRF840、STP25NK80Z、FQA25N80C、以及TK25A80D。"
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