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BUK4D16-20X 发布时间 时间:2025/6/4 20:57:10 查看 阅读:6

BUK4D16-20X是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于各种高效能开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
  这款MOSFET因其优异的性能和可靠性,在消费电子、工业控制和通信设备等领域得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:16V
  最大连续漏电流:20A
  最大栅极阈值电压:4V
  典型导通电阻:3.5mΩ
  总功耗:27W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

BUK4D16-20X具有非常低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  其快速开关能力使得它在高频开关应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性和耐热冲击能力。
  此外,该器件还具有出色的雪崩能力和抗静电能力,增强了其在恶劣环境下的可靠性和耐用性。
  该器件的紧凑型表面贴装封装使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

BUK4D16-20X主要应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动电路以及其他需要高效功率切换的场合。
  由于其低导通电阻和高电流承载能力,它也非常适合用于负载开关、同步整流以及音频放大器中的功率级设计。
  在汽车电子领域,该器件可被用于各类车载电子控制系统,例如电动窗户、座椅调节和雨刷控制等。

替代型号

IRLZ44N
  SI4890DY
  FDP15N16
  BSC016N06NS3

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BUK4D16-20X参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格3,000 : ¥1.33137卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.5A(Ta),26A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 9A,8V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)931 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta),19W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DFN2020MD-6
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘