类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　增益（hFE）：5000~50000（典型值）
　　频率响应：100MHz
　　工作温度范围：-55°C~+150°C
　　封装类型：SIP（单列直插式封装）

AN3230NK具有高电流增益特性，适用于需要高灵敏度和高放大能力的电路设计。其达林顿结构使得单个晶体管的电流增益大大提升，从而减少了外部电路所需的元件数量，提高了系统的可靠性。
　　该芯片的低噪声特性使其非常适合用于前置放大器和其他音频应用。此外，AN3230NK的封装形式使其易于插入印刷电路板（PCB），适用于自动化生产和手工焊接。
　　AN3230NK的工作温度范围较宽，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，因此在工业控制和自动化设备中也有广泛的应用。其高耐压特性（80V VCEO）也使其在需要较高电压操作的电路中表现良好。
　　此外，AN3230NK的功耗较低，仅为200mW，能够在不产生过多热量的情况下长时间运行，适用于对功耗要求较高的便携式设备。

AN3230NK主要用于音频放大器的前置放大级，能够有效提升信号的强度而不引入过多噪声。在功率放大器设计中，该芯片也常用于驱动级，提供足够的电流以驱动后续的大功率晶体管。
　　此外，AN3230NK还被广泛应用于各种开关电路中，如继电器驱动、LED显示屏驱动等。其高增益和低噪声特性也使其成为传感器信号放大和处理的理想选择。
　　在工业控制领域，AN3230NK可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的信号调理电路，帮助提高控制精度和响应速度。

2SA1230NK、2SC3230NK