时间：2025/9/15 8:03:15
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AMMP-6333-TR2G 是一款由 Analog Devices 公司（原 Hittite Microwave 公司）设计和制造的 GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器（LNA），适用于高性能射频和微波应用。该器件采用先进的 GaAs pHEMT 工艺制造，具有高增益、低噪声系数和优异的线性度，非常适合用于无线通信系统、测试设备和雷达系统中的接收前端。该器件采用 6 引脚 SOT-363 表面贴装封装，便于集成到高频电路中。
频率范围：50 MHz 至 6 GHz
噪声系数：0.45 dB（典型值，在 2 GHz）
增益：18 dB（典型值，在 2 GHz）
输出 1 dB 压缩点：+13 dBm
输入三阶交调截点（IIP3）：+23 dBm
工作电压：5 V
工作电流：85 mA（典型值）
封装类型：SOT-363（6 引脚）
AMMP-6333-TR2G 在其宽频范围内提供了出色的性能，特别适用于需要高灵敏度和低噪声的射频接收系统。其低噪声系数（0.45 dB）确保了接收机前端的高信噪比，从而提升了整体系统性能。该器件具有高增益（18 dB）和良好的线性度，使得其在弱信号放大时仍能保持高保真度。
AMMP-6333-TR2G 的设计使其具有良好的输入/输出回波损耗，无需外部匹配电路即可在 50 MHz 至 6 GHz 的宽频范围内工作。这种宽带匹配能力大大简化了电路设计，并减少了外围元件的数量，从而降低了系统成本和复杂度。
此外，该放大器具备良好的温度稳定性，可在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内可靠工作，适用于户外和恶劣环境下的通信设备。其 5 V 单电源供电方式简化了电源管理设计，同时也兼容多种射频模块的供电标准。
由于其采用 GaAs pHEMT 技术，AMMP-6333-TR2G 在高频段具有出色的增益平坦度和稳定性，非常适合用于 LTE、WiMAX、微波通信、卫星接收器以及测试仪器等应用场合。
AMMP-6333-TR2G 主要应用于需要高性能低噪声放大的射频和微波系统中。典型应用包括无线基站接收机、宽带通信设备、雷达系统、测试与测量仪器、卫星通信系统以及各种便携式或固定式射频接收设备。其宽频带特性使其能够适应多种频段的无线通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA、LTE 和 5G 等。此外，该器件也非常适合用于中继器、信号探测器和远程无线电头端等模块中，作为前级放大器以提升系统灵敏度。
HMC723LC5B, ATF-54143, BGA2707, MAX2642
