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AMMC5618W50 发布时间 时间:2025/9/15 11:22:58 查看 阅读:9

AMMC5618W50 是一款由 Broadcom(安华高)生产的 GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),主要用于射频(RF)和微波频率范围内的低噪声放大器应用。该器件设计用于在 18 GHz 至 40 GHz 的频率范围内提供高增益和低噪声性能,非常适合用于高性能通信系统、测试设备和毫米波应用。

参数

频率范围:18 GHz - 40 GHz
  噪声系数:典型值 1.5 dB
  增益:典型值 18 dB
  输出IP3:典型值 +15 dBm
  工作电压:3 V 至 6 V
  电流消耗:典型值 40 mA
  封装类型:表面贴装(SMD),5引脚陶瓷封装

特性

AMMC5618W50 具备优异的低噪声特性,其噪声系数在工作频段内通常保持在1.5 dB以下,确保了在高灵敏度接收系统中的信号完整性。该器件在宽频率范围内提供稳定的增益,典型值为18 dB,适用于18 GHz至40 GHz的高频应用。此外,其线性输出三阶交调截距(IP3)达到+15 dBm,表明其在高信号强度环境下仍能保持较低的失真水平。AMMC5618W50采用表面贴装的5引脚陶瓷封装,便于在高频PCB设计中集成,同时提供良好的热稳定性和机械稳定性。器件可在3 V至6 V的电源电压下工作,电流消耗约为40 mA,具有良好的能效比。
  这款FET还具备出色的温度稳定性,能够在较宽的环境温度范围内维持性能,适用于工业级和军事级应用。其高线性度和低功耗特性使其成为测试测量设备、卫星通信系统、毫米波雷达以及5G通信系统中理想的低噪声放大器元件。

应用

AMMC5618W50 主要应用于高频低噪声放大器设计,特别是在18 GHz至40 GHz的毫米波频段。典型应用包括卫星通信接收器、测试与测量设备、毫米波雷达系统、5G无线基础设施以及高性能射频前端模块。其高增益和低噪声特性也使其适用于需要高灵敏度信号接收的系统,如点对点微波通信和气象雷达。

替代型号

HMC733LC4B, ATF-55143

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