时间：2025/9/15 11:22:58
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AMMC5618W50 是一款由 Broadcom（安华高）生产的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大器应用。该器件设计用于在 18 GHz 至 40 GHz 的频率范围内提供高增益和低噪声性能，非常适合用于高性能通信系统、测试设备和毫米波应用。
频率范围：18 GHz - 40 GHz
噪声系数：典型值 1.5 dB
增益：典型值 18 dB
输出IP3：典型值 +15 dBm
工作电压：3 V 至 6 V
电流消耗：典型值 40 mA
封装类型：表面贴装（SMD），5引脚陶瓷封装
AMMC5618W50 具备优异的低噪声特性，其噪声系数在工作频段内通常保持在1.5 dB以下，确保了在高灵敏度接收系统中的信号完整性。该器件在宽频率范围内提供稳定的增益，典型值为18 dB，适用于18 GHz至40 GHz的高频应用。此外，其线性输出三阶交调截距（IP3）达到+15 dBm，表明其在高信号强度环境下仍能保持较低的失真水平。AMMC5618W50采用表面贴装的5引脚陶瓷封装，便于在高频PCB设计中集成，同时提供良好的热稳定性和机械稳定性。器件可在3 V至6 V的电源电压下工作，电流消耗约为40 mA，具有良好的能效比。
这款FET还具备出色的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内维持性能，适用于工业级和军事级应用。其高线性度和低功耗特性使其成为测试测量设备、卫星通信系统、毫米波雷达以及5G通信系统中理想的低噪声放大器元件。
AMMC5618W50 主要应用于高频低噪声放大器设计，特别是在18 GHz至40 GHz的毫米波频段。典型应用包括卫星通信接收器、测试与测量设备、毫米波雷达系统、5G无线基础设施以及高性能射频前端模块。其高增益和低噪声特性也使其适用于需要高灵敏度信号接收的系统，如点对点微波通信和气象雷达。
HMC733LC4B, ATF-55143
